Справочник MOSFET. NCE3407A

 

NCE3407A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE3407A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для NCE3407A

 

 

NCE3407A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:602K  ncepower
 nce3407a.pdf

NCE3407A NCE3407A

http://www.ncepower.comNCE3407ANCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionDThe NCE3407A uses advanced trench technology to provideexcellent R , This device is suitable for use as a loadDS(ON)Gswitch or in PWM applications.General FeaturesS V = -30V,I = -4.3ADS DSchematic diagramR

 0.1. Size:261K  ncepower
 nce3407ay.pdf

NCE3407A NCE3407A

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3407AYNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The NCE3407AY uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -4.3A RDS(ON)

 7.1. Size:281K  ncepower
 nce3407.pdf

NCE3407A NCE3407A

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3407NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load Gswitch or in PWM applications. SGeneral Features VDS = -30V,ID = -4.1A Schematic diagram RDS(ON)

 7.2. Size:729K  ncepower
 nce3407e.pdf

NCE3407A NCE3407A

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE3407ENCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE3407E uses advanced trench technology to provideexcellent R . This device is suitable for use as a loadDS(ON)switch or in PWM applications.It is ESD protected.General Features V = -30V,I = -4.3A Schematic diagramDS DR = 28m @ V =-10V (typ)DS(ON) GSR = 38m

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: GSM2309A

 

 
Back to Top