Справочник MOSFET. NCE3407E

 

NCE3407E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE3407E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12.8 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 86 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.059 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для NCE3407E

 

 

NCE3407E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  ncepower
nce3407e.pdf

NCE3407E
NCE3407E

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE3407ENCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE3407E uses advanced trench technology to provideexcellent R . This device is suitable for use as a loadDS(ON)switch or in PWM applications.It is ESD protected.General Features V = -30V,I = -4.3A Schematic diagramDS DR = 28m @ V =-10V (typ)DS(ON) GSR = 38m

 7.1. Size:602K  ncepower
nce3407a.pdf

NCE3407E
NCE3407E

http://www.ncepower.comNCE3407ANCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionDThe NCE3407A uses advanced trench technology to provideexcellent R , This device is suitable for use as a loadDS(ON)Gswitch or in PWM applications.General FeaturesS V = -30V,I = -4.3ADS DSchematic diagramR

 7.2. Size:281K  ncepower
nce3407.pdf

NCE3407E
NCE3407E

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3407NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe NCE3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load Gswitch or in PWM applications. SGeneral Features VDS = -30V,ID = -4.1A Schematic diagram RDS(ON)

 7.3. Size:261K  ncepower
nce3407ay.pdf

NCE3407E
NCE3407E

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3407AYNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The NCE3407AY uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -4.3A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top