Справочник MOSFET. NCE3N150T

 

NCE3N150T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE3N150T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для NCE3N150T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3N150T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  ncepower
 nce3n150t.pdf pdf_icon

NCE3N150T

NCE3N150TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.1. Size:619K  ncepower
 nce3n150d.pdf pdf_icon

NCE3N150T

NCE3N150DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.2. Size:608K  ncepower
 nce3n150f.pdf pdf_icon

NCE3N150T

NCE3N150FN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.3. Size:648K  ncepower
 nce3n150pf.pdf pdf_icon

NCE3N150T

NCE3N150PFN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1650 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 5.5 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 3 AQg 32 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE3415E , NCE3415Y , NCE3417 , NCE3420X , NCE3N150 , NCE3N150D , NCE3N150F , NCE3N150PF , IRF830 , NCE3N170 , NCE3N170D , NCE3N170F , NCE3N170PF , NCE3N170T , NCE4003 , NCE4005 , NCE4015S .

History: IRLZ24NSPBF | SI2306DS | SIZ704DT

 

 
Back to Top

 


 
.