Справочник MOSFET. NCE3N170T

 

NCE3N170T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE3N170T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для NCE3N170T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3N170T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  ncepower
 nce3n170t.pdf pdf_icon

NCE3N170T

NCE3N170TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1850 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 6 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 2.9 AQg 33 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.1. Size:625K  ncepower
 nce3n170f.pdf pdf_icon

NCE3N170T

NCE3N170FN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1850 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 6 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 2.9 AQg 33 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.2. Size:635K  ncepower
 nce3n170d.pdf pdf_icon

NCE3N170T

NCE3N170DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1850 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 6 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 2.9 AQg 33 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched applications

 6.3. Size:664K  ncepower
 nce3n170pf.pdf pdf_icon

NCE3N170T

NCE3N170PFN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral DescriptionThe series of Power MOSFETs use advanced V 1850 VDS min@Tjmaxtechnology and design.This high voltage MOSFET fitsR 6 DS(ON)TYPSwitched applications.ID 2.9 AQg 33 nCFeaturesHigh speed switchingIntrinsic capacitances and Qg minimized100% Avalanche TestedApplication Switched application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE3N150D , NCE3N150F , NCE3N150PF , NCE3N150T , NCE3N170 , NCE3N170D , NCE3N170F , NCE3N170PF , IRF730 , NCE4003 , NCE4005 , NCE4015S , NCE4090G , NCE4090K , NCE40H10K , NCE40H11 , NCE40H11K .

 

 
Back to Top

 


 
.