Справочник MOSFET. NCE40H11

 

NCE40H11 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE40H11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 382 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для NCE40H11

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE40H11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  ncepower
 nce40h11.pdf pdf_icon

NCE40H11

Pb Free ProductNCE40H11http://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE40H11 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =40V,I =110A Schematic diagramDS DR

 0.1. Size:753K  ncepower
 nce40h11k.pdf pdf_icon

NCE40H11

Pb Free ProductNCE40H11Khttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE40H11K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =40V,I =110ADS DSchematic diagramR

 7.1. Size:669K  ncepower
 nce40h10k.pdf pdf_icon

NCE40H11

NCE40H10Khttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE40H10K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =40V,I =100ADS DSchematic diagramR

 7.2. Size:401K  ncepower
 nce40h12.pdf pdf_icon

NCE40H11

Pb Free ProductNCE40H12http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE3N170PF , NCE3N170T , NCE4003 , NCE4005 , NCE4015S , NCE4090G , NCE4090K , NCE40H10K , 60N06 , NCE40H11K , NCE40H12A , NCE40H25LL , NCE40H30D , NCE40H32LL , NCE40NP2815G , NCE40P06J , NCE40P06S .

History: FDMS86540 | WMN10N65C4 | WNM2046B

 

 
Back to Top

 


 
.