Справочник MOSFET. NCE40P20Q1

 

NCE40P20Q1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE40P20Q1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 54 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L
 

 Аналог (замена) для NCE40P20Q1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE40P20Q1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  ncepower
nce40p20q1.pdfpdf_icon

NCE40P20Q1

http://www.ncepower.comNCE40P20Q1NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE40P20Q1 uses advanced trench technology to provideGeneral Featuresexcellent R , This device is suitable for use as a load switchDS(ON) V = -40V,I = -20ADS Dor power management.R

 5.1. Size:683K  ncepower
nce40p20q.pdfpdf_icon

NCE40P20Q1

http://www.ncepower.comNCE40P20QNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE40P20Q uses advanced trench technology to provideGeneral Featuresexcellent R , This device is suitable for use as a load switchDS(ON) V = -40V,I = -20ADS Dor power management.R

 7.1. Size:637K  ncepower
nce40p25g.pdfpdf_icon

NCE40P20Q1

http://www.ncepower.comNCE40P25GNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE40P25G uses uses advanced trench technology toGeneral Featuresprovide excellent R , This device is suitable for use as a load V =-40V,I =-25ADS(ON) DS Dswitch or power management. R =11.5m (typical) @ V =10VDS(ON) GSR =18.5m (typical) @ V =4.5VApplication DS(ON) GS DC/

 8.1. Size:397K  ncepower
nce40p70k.pdfpdf_icon

NCE40P20Q1

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE40P70KNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40P70K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features VDS =-40V,ID =-70A RDS(ON)

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top

 


 
.