Справочник MOSFET. NCE50NF330F

 

NCE50NF330F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE50NF330F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE50NF330F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:809K  ncepower
 nce50nf330f.pdf pdf_icon

NCE50NF330F

NCE50NF330FN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 550 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)R 280 mDS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits theI 10 ADindustrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCQg 12.5 nCpower conversion, and ind

 4.1. Size:784K  ncepower
 nce50nf330i.pdf pdf_icon

NCE50NF330F

NCE50NF330IN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 550 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)R 280 mDS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits theI 10 ADindustrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCQg 12.5 nCpower conversion, and ind

 4.2. Size:799K  ncepower
 nce50nf330.pdf pdf_icon

NCE50NF330F

NCE50NF330N-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 550 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)R 280 mDS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits theI 10 ADindustrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCQg 12.5 nCpower conversion, and indu

 4.3. Size:821K  ncepower
 nce50nf330d.pdf pdf_icon

NCE50NF330F

NCE50NF330DN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 550 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)R 280 mDS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits theI 10 ADindustrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCQg 12.5 nCpower conversion, and ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 4N65KG-T60-K | IRFR120TR | IPB03N03LBG | AONS36316 | STP5N62K3 | MRF5003 | RQK0608BQDQS

 

 
Back to Top

 


 
.