NCE50NF600I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE50NF600I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для NCE50NF600I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE50NF600I даташит

 ..1. Size:787K  ncepower
 nce50nf600i.pdf pdf_icon

NCE50NF600I

NCE50NF600I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 550 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 520 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 6.3 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.5 nC power conversion, and ind

 4.1. Size:793K  ncepower
 nce50nf600k.pdf pdf_icon

NCE50NF600I

NCE50NF600K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 550 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 520 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 6.3 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.5 nC power conversion, and ind

 4.2. Size:823K  ncepower
 nce50nf600d.pdf pdf_icon

NCE50NF600I

NCE50NF600D N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 550 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 520 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 6.3 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.5 nC power conversion, and ind

 4.3. Size:820K  ncepower
 nce50nf600r.pdf pdf_icon

NCE50NF600I

NCE50NF600R N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 550 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 520 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 6.3 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.5 nC power conversion, and ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE50NF330K, NCE50NF520, NCE50NF520D, NCE50NF520F, NCE50NF520I, NCE50NF520K, NCE50NF600D, NCE50NF600F, CS150N03A8, NCE50NF600K, NCE50NF600R, NCE5520Q, NCE55P15, NCE6003X, NCE6003XM, NCE6003XY, NCE6005AN