FQA46N15
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQA46N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 50
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 85
nC
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042
Ohm
Тип корпуса:
TO3PN
Аналог (замена) для FQA46N15
FQA46N15
Datasheet (PDF)
..1. Size:788K fairchild semi
fqa46n15 fqa46n15 f109.pdf August 2007 QFETFQA46N15 / FQA46N15_F109150V N-Channel MOSFETFeatures Description 50A, 150V, RDS(on) = 0.042 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 85 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100pF)This advanced technology has been especiall
..2. Size:2297K onsemi
fqa46n15.pdf Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... FQA28N15
, FQA30N40
, SDF06N60
, FQA32N20C
, SDF05N50
, FQA36P15
, FQA40N25
, FQA44N30
, STF13NM60N
, FQA55N25
, FQA62N25C
, FQA65N20
, SDF05N40T
, FQA6N90CF109
, FQA70N10
, SDF04N65
, FQA70N15
.