NCE6030K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NCE6030K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 2.6 ns
Выходная емкость (Cd): 130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO-252
NCE6030K Datasheet (PDF)
nce6030k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE6030KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6030K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =30A RDS(ON)
nce603s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE603SN and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE603S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Schematic diagram General Features N-Channel VDS = 6
nce603583.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NCE603583http://www.ncepower.comNCE N&P-Channel complementary Power MOSFETDescriptionThe NCE603583 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General FeaturesN channelSchematic diagram V =60V,I =40ADS DR
nce603s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NCE603Swww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VGS =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .