Справочник MOSFET. NCE60NP4035K

 

NCE60NP4035K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE60NP4035K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE60NP4035K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:978K  ncepower
 nce60np4035k.pdf pdf_icon

NCE60NP4035K

NCE60NP4035Khttp://www.ncepower.comNCE N&P-Channel complementary Power MOSFETDescriptionThe NCE60NP4035K uses advanced trench technologyand design to provide excellent R with low gateDS(ON)charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagramN channel V =60V,I =40ADS DR

 7.1. Size:913K  ncepower
 nce60np2012k.pdf pdf_icon

NCE60NP4035K

NCE60NP2012Khttp://www.ncepower.comNCE N&P-Channel complementary Power MOSFETDescriptionThe NCE60NP2012K uses advanced trench technologyand design to provide excellent R with low gateDS(ON)charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesN channelSchematic diagram V =60V,I =20ADS DR

 7.2. Size:854K  ncepower
 nce60np1515k.pdf pdf_icon

NCE60NP4035K

NCE60NP1515Khttp://www.ncepower.comNCE N&P-Channel complementary Power MOSFETDescriptionThe NCE60NP1515K uses advanced trench technologyand design to provide excellent R with low gateDS(ON)charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagramN channel V =60V,I =15ADS DR

 7.3. Size:1011K  ncepower
 nce60np09s.pdf pdf_icon

NCE60NP4035K

NCE60NP09Shttp://www.ncepower.comNCE 60V Complementary MOSFETDescriptionThe NCE60NP09S uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagramN channel V =60V,I =9ADS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: STF20NM60D | YTF840 | BSS138A | AONU32320 | AP4N4R2H | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.