SDD06N70 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SDD06N70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.5 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
Тип корпуса: TO251 IPAK
SDD06N70 Datasheet (PDF)
sdu06n70 sdd06n70.pdf
GreenProduct SDU/D06N70SamHop Microelectronics corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.700V 6A 1.3 @VGS=10V Suface Mount Package.DGGSSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERI
sdu06n60 sdd06n60.pdf
GreenProduct SDU/D06N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.600V 6A 1.18 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGGSSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)
Другие MOSFET... FQA90N08 , FQA90N15 , FQA90N15F109 , FQA9N90F109 , FQA9N90CF109 , FQA9P25 , FQAF11N90C , FQAF13N80 , IRFB3306 , FQAF16N50 , FQB11P06 , FQB12P20 , FQB19N20 , SDD05N70 , FQB19N20C , SDD05N04 , FQB19N20L .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918