NCE70N1K1I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE70N1K1I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для NCE70N1K1I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE70N1K1I даташит

 ..1. Size:811K  ncepower
 nce70n1k1i.pdf pdf_icon

NCE70N1K1I

NCE70N1K1I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1000 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 4.5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.5 nC power conversion, and ind

 5.1. Size:791K  ncepower
 nce70n1k1k.pdf pdf_icon

NCE70N1K1I

NCE70N1K1K N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1000 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 4.5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.5 nC power conversion, and ind

 5.2. Size:804K  ncepower
 nce70n1k1f.pdf pdf_icon

NCE70N1K1I

NCE70N1K1F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1000 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 4.5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.5 nC power conversion, and ind

 5.3. Size:873K  ncepower
 nce70n1k1r.pdf pdf_icon

NCE70N1K1I

NCE70N1K1R N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 750 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 1000 m DS(ON)TYP. with low gate charge. This super junction MOSFET fits the I 4.5 A D industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC Qg 9.5 nC power conversion, and ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE65T1K9K, NCE65TF078T, NCE6602N, NCE6890D, NCE70H10F, NCE70N100I, NCE70N1K1D, NCE70N1K1F, IRFZ46N, NCE70N1K1K, NCE70N1K1R, NCE70N1K4F, NCE70N1K4I, NCE70N1K4K, NCE70N1K4R, NCE70N290, NCE70N290D