Справочник MOSFET. NCE70N1K1R

 

NCE70N1K1R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE70N1K1R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для NCE70N1K1R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE70N1K1R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:873K  ncepower
 nce70n1k1r.pdf pdf_icon

NCE70N1K1R

NCE70N1K1RN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 750 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)R 1000 mDS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits theI 4.5 ADindustrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCQg 9.5 nCpower conversion, and ind

 5.1. Size:791K  ncepower
 nce70n1k1k.pdf pdf_icon

NCE70N1K1R

NCE70N1K1KN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 750 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)R 1000 mDS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits theI 4.5 ADindustrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCQg 9.5 nCpower conversion, and ind

 5.2. Size:804K  ncepower
 nce70n1k1f.pdf pdf_icon

NCE70N1K1R

NCE70N1K1FN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 750 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)R 1000 mDS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits theI 4.5 ADindustrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCQg 9.5 nCpower conversion, and ind

 5.3. Size:811K  ncepower
 nce70n1k1i.pdf pdf_icon

NCE70N1K1R

NCE70N1K1IN-Channel Super Junction Power MOSFET General DescriptionThe series of devices use advanced trench gate super V 750 VDS min@Tjmaxjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)R 1000 mDS(ON)TYP.with low gate charge. This super junction MOSFET fits theI 4.5 ADindustrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCQg 9.5 nCpower conversion, and ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE6602N , NCE6890D , NCE70H10F , NCE70N100I , NCE70N1K1D , NCE70N1K1F , NCE70N1K1I , NCE70N1K1K , 60N06 , NCE70N1K4F , NCE70N1K4I , NCE70N1K4K , NCE70N1K4R , NCE70N290 , NCE70N290D , NCE70N290F , NCE70N290I .

History: DMN6040SVT | 2N60G-TMS-T | CEDM7001 | PA597BA | AM4832N | APT5014BFLLG | AOK20S60L

 

 
Back to Top

 


 
.