NCE72R60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE72R60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm

Тип корпуса: DFN1X1-4L

Аналог (замена) для NCE72R60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE72R60D даташит

 ..1. Size:224K  ncepower
 nce72r60d.pdf pdf_icon

NCE72R60D

http //www.ncepower.com NCE72R60D NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS = 60V,ID = 0.41A RDS(ON)

Другие IGBT... NCE70T260K, NCE70T260T, NCE70T540, NCE70T540D, NCE70T540F, NCE70T680I, NCE70T680K, NCE70T900R, AON6414A, NCE75H21, NCE75H21D, NCE75H21T, NCE75H25, NCE75H25T, NCE75H35TC, NCE8290, NCE8290B