NCE75H21D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE75H21D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 914 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для NCE75H21D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE75H21D даташит

 ..1. Size:293K  ncepower
 nce75h21d.pdf pdf_icon

NCE75H21D

http //www.ncepower.com NCE75H21D NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE75H21D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =75V,ID =210A Schematic diagram RDS(ON)

 6.1. Size:361K  ncepower
 nce75h21t.pdf pdf_icon

NCE75H21D

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE75H21T NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE75H21T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =75V,ID =210A Schematic diagram RDS(ON)

 6.2. Size:393K  ncepower
 nce75h21.pdf pdf_icon

NCE75H21D

http //www.ncepower.com NCE75H21 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE75H21 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in Automotive applications and a wide variety of other applications. General Features VDSS =75V,ID =210A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:688K  ncepower
 nce75h25t.pdf pdf_icon

NCE75H21D

http //www.ncepower.com NCE75H25T NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE75H25T uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 75V,I =250A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE70T540, NCE70T540D, NCE70T540F, NCE70T680I, NCE70T680K, NCE70T900R, NCE72R60D, NCE75H21, 2N7000, NCE75H21T, NCE75H25, NCE75H25T, NCE75H35TC, NCE8290, NCE8290B, NCE8295AG, NCE8295AI