NCE82H140 - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE82H140 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE82H140
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NCE82H140

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE82H140 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  ncepower
 nce82h140.pdf pdf_icon

NCE82H140

http://www.ncepower.comNCE82H140NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE82H140 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V = 82V,I =140ADS DR

 0.1. Size:381K  ncepower
 nce82h140ll.pdf pdf_icon

NCE82H140

NCE82H140LLhttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE82H140LL uses advanced trench technology and VDS = 82V,ID =140A design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It RDS(ON)

 0.2. Size:364K  ncepower
 nce82h140d.pdf pdf_icon

NCE82H140

http://www.ncepower.com NCE82H140DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H140D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =140A RDS(ON)

 7.1. Size:369K  ncepower
 nce82h110d.pdf pdf_icon

NCE82H140

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE82H110DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H110D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =110A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE75H21T , NCE75H25 , NCE75H25T , NCE75H35TC , NCE8290 , NCE8290B , NCE8295AG , NCE8295AI , 12N60 , NCE82H140LL , NCE82H160 , NCE82H160D , NCE85H21TC , NCE85H25 , NCE85H25T , NCE8736 , NCE9435A .

History: UTT18P10L-TA3-T | NP74N04YUG | PD5B3BA | IPP147N12N3 | GSM3009S | JCS3910F | WMS175DN10LG4

 

 
Back to Top

 


 
.