NCE82H160. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE82H160

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 82 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 537 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для NCE82H160

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE82H160 даташит

 ..1. Size:318K  ncepower
 nce82h160.pdf pdf_icon

NCE82H160

http //www.ncepower.com NCE82H160 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H160 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =160A RDS(ON)

 0.1. Size:304K  ncepower
 nce82h160d.pdf pdf_icon

NCE82H160

NCE82H160D http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H160D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 82V,ID =160A RDS(ON)

 7.1. Size:627K  ncepower
 nce82h140.pdf pdf_icon

NCE82H160

http //www.ncepower.com NCE82H140 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE82H140 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V = 82V,I =140A DS D R

 7.2. Size:381K  ncepower
 nce82h140ll.pdf pdf_icon

NCE82H160

NCE82H140LL http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE82H140LL uses advanced trench technology and VDS = 82V,ID =140A design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE75H25T, NCE75H35TC, NCE8290, NCE8290B, NCE8295AG, NCE8295AI, NCE82H140, NCE82H140LL, IRF9540N, NCE82H160D, NCE85H21TC, NCE85H25, NCE85H25T, NCE8736, NCE9435A, NCEA0130AG, NCEA01P13K