NCEA65NF036T4 - аналоги, параметры транзистора

NCEA65NF036T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCEA65NF036T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 488 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO-247-4L

Аналог (замена) для NCEA65NF036T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

NCEA65NF036T4 даташит

..1. Size:843K ncepower
ncea65nf036t4.pdf pdf_icon

NCEA65NF036T4 N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 710 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide ultra-low RDS(ON) R 30 m DS(ON)TYP. and low gate charge and With a rapid recovery body I 70 A D diode.This super junction MOSFET fits the industry s AC-DC Qg 125 nC SMPS requirements for P

2.1. Size:849K ncepower
ncea65nf036t.pdf pdf_icon

NCEA65NF036T N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 710 V DS min@Tjmax junction technology and design to provide ultra-low RDS(ON) R 30 m DS(ON)TYP. and low gate charge and With a rapid recovery body I 70 A D diode.This super junction MOSFET fits the industry s AC-DC Qg 125 nC SMPS requirements for PF

9.1. Size:900K ncepower
ncea6058k.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCEA6058K NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA6058K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V,I =64A DS D R

9.2. Size:811K ncepower
ncea60nd08s.pdf pdf_icon