Справочник MOSFET. NCEAP60T12AD

 

NCEAP60T12AD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCEAP60T12AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для NCEAP60T12AD

 

 

NCEAP60T12AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:675K  ncepower
nceap60t12ad.pdf

NCEAP60T12AD
NCEAP60T12AD

NCEAP60T12ADhttp://www.ncepower.comNCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionThe NCEAP60T12AD uses Super Trench technology that isGeneral Featuresuniquely optimized to provide the most efficient high frequency V =60V,I =150ADS Dswitching performance. Both conduction and switching power R

 3.1. Size:754K  ncepower
nceap60t12ak.pdf

NCEAP60T12AD
NCEAP60T12AD

NCEAP60T12AKhttp://www.ncepower.comNCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionThe NCEAP60T12AK uses Super Trench technology that isGeneral Featuresuniquely optimized to provide the most efficient high frequency V =60V,I =150ADS Dswitching performance. Both conduction and switching power R

 5.1. Size:713K  ncepower
nceap60t15g.pdf

NCEAP60T12AD
NCEAP60T12AD

http://www.ncepower.com NCEAP60T15GNCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFETDescription General FeaturesThe NCEAP60T15G uses Super Trench technology that is V =60V,I =196A (Silicon Limited)DS Duniquely optimized to provide the most efficient high frequency R

 6.1. Size:723K  ncepower
nceap60t20d.pdf

NCEAP60T12AD
NCEAP60T12AD

http://www.ncepower.com NCEAP60T20DNCE Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionGeneral FeaturesThe NCEAP60T20D uses Super Trench technology that is uniquely V =60V,I =250ADS Doptimized to provide the most efficient high frequency switchingR =1.8m (typical) @ V =10VDS(ON) GSperformance. Both conduction and switching power losses are Excellent gate c

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top