QM0930M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM0930M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для QM0930M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM0930M3 даташит

No data!

Другие IGBT... NCEP85T30LL, NCEP85T30T, NCEP8814AS, NCEP8818AS, NCEPB302G, NCEPB303GU, NCES120R036T4, NCES120R062T4, P55NF06, MRF134, MRF136, MRF136Y, MRF137, MRF138, MRF140, MRF141, MRF141G