MRF166C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF166C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.667 Ohm

Тип корпуса: CASE319-07

Аналог (замена) для MRF166C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MRF166C даташит

 ..1. Size:111K  motorola
mrf166c.pdfpdf_icon

MRF166C

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166C/D The RF MOSFET Line RF Power MRF166C Field Effect Transistors N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed primarily for wideband large signal output and driver from 30 500 MHz. Low Crss 4.5 pF @ VDS = 28 V 20 W, 500 MHz MOSFET MRF166C Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc BROADBAND Outpu

 ..2. Size:154K  motorola
mrf166 mrf166c.pdfpdf_icon

MRF166C

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166/D The RF MOSFET Line RF Power MRF166 Field Effect Transistors MRF166C N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed primarily for wideband large signal output and driver from 30 500 MHz. Low Crss 4.5 pF @ VDS = 28 V 20 W, 500 MHz MOSFET MRF166C Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc BROADBAND

 ..3. Size:555K  macom
mrf166c.pdfpdf_icon

MRF166C

MRF166C The RF MOSFET Line M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 20W, 500MHz, 28V Product Image Designed primarily for wideband large signal output and driver from 30 500MHz. N Channel enhancement mode MOSFET MRF166C Guaranteed performance at 500 MHz, 28 Vdc Output power = 20 W Gain = 13.5 dB Efficiency = 50% Replacement for industry standards suc

 0.1. Size:111K  motorola
mrf166cr.pdfpdf_icon

MRF166C

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF166C/D The RF MOSFET Line RF Power MRF166C Field Effect Transistors N Channel Enhancement Mode MOSFETs Designed primarily for wideband large signal output and driver from 30 500 MHz. Low Crss 4.5 pF @ VDS = 28 V 20 W, 500 MHz MOSFET MRF166C Typical Performance at 400 MHz, 28 Vdc BROADBAND Outpu

Другие IGBT... MRF154, MRF156, MRF156R, MRF157, MRF158, MRF160, MRF164W, MRF166, 5N65, MRF166W, MRF171, MRF173, MRF173CQ, MRF174, MRF175GU, MRF175GV, MRF175LU