BR40N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR40N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BR40N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR40N20 даташит

 ..1. Size:1194K  blue-rocket-elect
 br40n20.pdf pdf_icon

BR40N20

BR40N20 Rev.F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , , , 100 Fast Switching, Low ON Resistance, Low Gate Charge, Low Reverse transfer capacitances,100% Single Pulse

Другие IGBT... MRF5007R1, MRF5015, MRF5035, 2N7002K1, BR10N60, BR20N50, BR2N7002AK2, BR2N7002LK2, IRFZ24N, BR4N70, BR50N03, BR6N70, BR7N65, BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65