BR40N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BR40N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для BR40N20
BR40N20 Datasheet (PDF)
br40n20.pdf

BR40N20 Rev.F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , , ,100Fast Switching, Low ON Resistance, Low Gate Charge, Low Reverse transfer capacitances,100% Single Pulse
Другие MOSFET... MRF5007R1 , MRF5015 , MRF5035 , 2N7002K1 , BR10N60 , BR20N50 , BR2N7002AK2 , BR2N7002LK2 , 8N60 , BR4N70 , BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 .
History: HFS11N40 | FDBL0150N60 | TPB60R350C | AM3447P | STB21NM60N-1 | BRCS080N10SHBD
History: HFS11N40 | FDBL0150N60 | TPB60R350C | AM3447P | STB21NM60N-1 | BRCS080N10SHBD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107