BR50N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BR50N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для BR50N03
BR50N03 Datasheet (PDF)
br50n03.pdf
BR50N03 Rev.B Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC .S
br50n06.pdf
BR50N06 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
br50n10.pdf
BR50N10(BRCS50N10R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on), low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Другие MOSFET... MRF5035 , 2N7002K1 , BR10N60 , BR20N50 , BR2N7002AK2 , BR2N7002LK2 , BR40N20 , BR4N70 , 8N60 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 .
History: BRCS080N04SDP | BR2N7002LK2 | BRCS080C03YA
History: BRCS080N04SDP | BR2N7002LK2 | BRCS080C03YA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568




