BR50N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR50N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BR50N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR50N03 даташит

 ..1. Size:781K  blue-rocket-elect
 br50n03.pdf pdf_icon

BR50N03

BR50N03 Rev.B Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC .S

 8.1. Size:1026K  blue-rocket-elect
 br50n06.pdf pdf_icon

BR50N03

BR50N06 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 9.1. Size:795K  blue-rocket-elect
 br50n10.pdf pdf_icon

BR50N03

BR50N10(BRCS50N10R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on), low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

Другие IGBT... MRF5035, 2N7002K1, BR10N60, BR20N50, BR2N7002AK2, BR2N7002LK2, BR40N20, BR4N70, 8N60, BR6N70, BR7N65, BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65, BRB13N50, BRB4N60