BR50N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BR50N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для BR50N03
BR50N03 Datasheet (PDF)
br50n03.pdf

BR50N03 Rev.B Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC .S
br50n06.pdf

BR50N06 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
br50n10.pdf

BR50N10(BRCS50N10R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on), low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Другие MOSFET... MRF5035 , 2N7002K1 , BR10N60 , BR20N50 , BR2N7002AK2 , BR2N7002LK2 , BR40N20 , BR4N70 , K2611 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 .
History: AM7431P | 50N06A | TK30J25D | AP9475GM | SPP03N60S5 | FS10UM-9
History: AM7431P | 50N06A | TK30J25D | AP9475GM | SPP03N60S5 | FS10UM-9



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568