BR6N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR6N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BR6N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR6N70 даташит

 ..1. Size:941K  blue-rocket-elect
 br6n70.pdf pdf_icon

BR6N70

BR6N70 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Fast switching, low on resistance, low gate charge, low reverse transfer capacitances. / Applications

Другие IGBT... 2N7002K1, BR10N60, BR20N50, BR2N7002AK2, BR2N7002LK2, BR40N20, BR4N70, BR50N03, P60NF06, BR7N65, BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65, BRB13N50, BRB4N60, BRB70R1K2