Справочник MOSFET. BR7N65

 

BR7N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR7N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BR7N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1009K  blue-rocket-elect
 br7n65.pdf pdf_icon

BR7N65

BR7N65 Rev. G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw

 9.1. Size:1024K  blue-rocket-elect
 br7n60.pdf pdf_icon

BR7N65

BR7N60(BRCS7N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие MOSFET... BR10N60 , BR20N50 , BR2N7002AK2 , BR2N7002LK2 , BR40N20 , BR4N70 , BR50N03 , BR6N70 , IRF520 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , BRB70R1K2 , BRB80N08A .

History: P0460AT | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | TSF13N50M | AUIRF7739L2 | RFP12N08

 

 
Back to Top

 


 
.