BR7N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BR7N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для BR7N65
BR7N65 Datasheet (PDF)
br7n65.pdf
BR7N65 Rev. G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw
br7n60.pdf
BR7N60(BRCS7N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high
Другие MOSFET... BR10N60 , BR20N50 , BR2N7002AK2 , BR2N7002LK2 , BR40N20 , BR4N70 , BR50N03 , BR6N70 , 75N75 , BRA10N65 , BRA7N65 , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , BRB70R1K2 , BRB80N08A .
History: BRCS080N10SHDP | BRCS080N04YB
History: BRCS080N10SHDP | BRCS080N04YB
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f



