BR7N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BR7N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BR7N65 Datasheet (PDF)
br7n65.pdf

BR7N65 Rev. G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw
br7n60.pdf

BR7N60(BRCS7N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IXTH6N90 | 12N65KL-TF1-T | AP3987I | SSF2841 | IRFR120TR | MTN1N60L3 | WMO15N25T2
History: IXTH6N90 | 12N65KL-TF1-T | AP3987I | SSF2841 | IRFR120TR | MTN1N60L3 | WMO15N25T2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f