BR7N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR7N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BR7N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR7N65 даташит

 ..1. Size:1009K  blue-rocket-elect
 br7n65.pdf pdf_icon

BR7N65

BR7N65 Rev. G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw

 9.1. Size:1024K  blue-rocket-elect
 br7n60.pdf pdf_icon

BR7N65

BR7N60(BRCS7N60R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие IGBT... BR10N60, BR20N50, BR2N7002AK2, BR2N7002LK2, BR40N20, BR4N70, BR50N03, BR6N70, 75N75, BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03, BRB10N65, BRB13N50, BRB4N60, BRB70R1K2, BRB80N08A