BRCS045N08SHBD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS045N08SHBD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для BRCS045N08SHBD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS045N08SHBD даташит

 ..1. Size:1904K  blue-rocket-elect
 brcs045n08shbd.pdf pdf_icon

BRCS045N08SHBD

 2.1. Size:1949K  blue-rocket-elect
 brcs045n08shra.pdf pdf_icon

BRCS045N08SHBD

 6.1. Size:2030K  blue-rocket-elect
 brcs045n10shbd.pdf pdf_icon

BRCS045N08SHBD

BRCS045N10SHBD Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching, HF Product. / Applications BMS High frequency switching and synchronous

 6.2. Size:2151K  blue-rocket-elect
 brcs045n10shra.pdf pdf_icon

BRCS045N08SHBD

BRCS045N10SHRA Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications BMS High frequency switching and synchronous rectification, BMS, Motor.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS035N06SZC, BRCS035N08SHBD, BRCS035N08SHRA, BRCS035N08SHZC, BRCS035N10SHBD, BRCS035N10SHZC, BRCS040N02DP, BRCS040N03DP, AON6414A, BRCS045N08SHRA, BRCS045N10SHBD, BRCS045N10SHRA, BRCS050N03DP, BRCS050N03DSC, BRCS050N03YB, BRCS050N03ZC, BRCS050N04BD