BRCS050N085HRA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BRCS050N085HRA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для BRCS050N085HRA
BRCS050N085HRA Datasheet (PDF)
brcs050n085hra.pdf
BRCS050N085HRA Rev.A Sep.-2021 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications PFC These
brcs050n04ra.pdf
BRCS050N04RA Rev.A Nov.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications PFC These de
brcs050n03zc.pdf
BRCS050N03ZC Rev.B Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;HF
brcs050n03yb.pdf
BRCS050N03YB Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN33A-8L Plastic Package. / Features V (V) = 30V DSI =55 A (V = 20V) D GS RDS(ON)@10V5mR(Typ.4.3mR) HF Product. / Applications
brcs050n04bd.pdf
BRCS050N04BD Rev.B Nov.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching,HF Product. / Applications PFC
brcs050n03dsc.pdf
BRCS050N03DSC Rev.A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features V (V)=30V I =20A DS DRDS(ON)@10V
brcs050n03dp.pdf
BRCS050N03DP Rev.B Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, HF Product. DS(on) rss / Applications
brcs050n04yb.pdf
BRCS050N04YB Rev.A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN 33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features V (V) = 40V I =57A (V = 20V) DS D GS RDS(ON)@10V5mR(Typ.4.5mR) RDS(ON)@4.5V10mR(Typ.6.2mR) HF Product. / Applications
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918