FQD17P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQD17P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.135 Ohm
Тип корпуса: TO252_DPAK
FQD17P06 Datasheet (PDF)
1.1. fqd17p06 fqu17p06.pdf 
Size:721K _fairchild_semi
January 2009 QFET FQD17P06 / FQU17P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -12A, -60V, RDS(on) = 0.135? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 80 pF) This advanced technology has been especially tailored t
5.1. fqd17n08l fqu17n08l.pdf Size:555K _fairchild_semi
December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD17N08L / FQU17N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 12.9A, 80V, RDS(on) = 0.1? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 8.8 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 29 pF) This advanced technology is
Другие MOSFET... FQD13N06 , FQD13N06L , FQD13N10 , NDS8434 , FQD13N10L , MTD3055V , FQD16N25C , FQD17N08L , IRFZ24N , FQD18N20V2 , MTD3055VL , FQD19N10 , FQA24N50 , FQD19N10L , FQP6N70 , FQD1N60C , FQP50N06 .
