BRCS070N03DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS070N03DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 77 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS070N03DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS070N03DP даташит

 ..1. Size:1464K  blue-rocket-elect
 brcs070n03dp.pdf pdf_icon

BRCS070N03DP

 3.1. Size:1674K  blue-rocket-elect
 brcs070n03dsc.pdf pdf_icon

BRCS070N03DP

 5.1. Size:1249K  blue-rocket-elect
 brcs070n08szc.pdf pdf_icon

BRCS070N03DP

BRCS070N08SZC Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;H

 5.2. Size:1256K  blue-rocket-elect
 brcs070n08sra.pdf pdf_icon

BRCS070N03DP

BRCS070N08SRA Rev.A Dec.-2021 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance, fast switching. / Applications PFC These

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS060N04DP, BRCS060N04SZC, BRCS060N04YM, BRCS060N08HZC, BRCS060N15SHRA, BRCS065N08SHBD, BRCS065N08SHRA, BRCS065N08SHZC, 5N65, BRCS070N03DSC, BRCS070N08SRA, BRCS070N08SZC, BRCS070N10SZC, BRCS070P03DP, BRCS070P03YB, BRCS070P03YM, BRCS080C03SC