BRCS070P03DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS070P03DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS070P03DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS070P03DP даташит

 ..1. Size:2327K  blue-rocket-elect
 brcs070p03dp.pdf pdf_icon

BRCS070P03DP

BRCS070P03DP Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching,HF Product. / Applications DC/DC Power Management of Industrial DC/DC Converter

 4.1. Size:2083K  blue-rocket-elect
 brcs070p03yb.pdf pdf_icon

BRCS070P03DP

 4.2. Size:2264K  blue-rocket-elect
 brcs070p03ym.pdf pdf_icon

BRCS070P03DP

 7.1. Size:1408K  blue-rocket-elect
 brcs070n10szc.pdf pdf_icon

BRCS070P03DP

BRCS070N10SZC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS065N08SHBD, BRCS065N08SHRA, BRCS065N08SHZC, BRCS070N03DP, BRCS070N03DSC, BRCS070N08SRA, BRCS070N08SZC, BRCS070N10SZC, CS150N03A8, BRCS070P03YB, BRCS070P03YM, BRCS080C03SC, BRCS080C03YA, BRCS080C03YM, BRCS080C04SC, BRCS080N02RA, BRCS080N02ZB