BRCS080N04SDP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS080N04SDP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS080N04SDP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS080N04SDP даташит

 ..1. Size:1705K  blue-rocket-elect
 brcs080n04sdp.pdf pdf_icon

BRCS080N04SDP

BRCS080N04SDP Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 40V DS I =54A (V = 20V) D GS R DS(ON)@10V 8mR(Typ.7.5mR) HF Product. / Applications DC/DC These devices are well suite

 3.1. Size:1268K  blue-rocket-elect
 brcs080n04sc.pdf pdf_icon

BRCS080N04SDP

BRCS080N04SC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features VDS = 40V ID =15A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 8mR(Typ.6.4mR) HF Product. / Applications

 4.1. Size:1369K  blue-rocket-elect
 brcs080n04zc.pdf pdf_icon

BRCS080N04SDP

BRCS080N04ZC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN 5 6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;

 4.2. Size:2391K  blue-rocket-elect
 brcs080n04yb.pdf pdf_icon

BRCS080N04SDP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS080C03YM, BRCS080C04SC, BRCS080N02RA, BRCS080N02ZB, BRCS080N02ZJ, BRCS080N03DSC, BRCS080N03YB, BRCS080N04SC, 5N60, BRCS080N04YB, BRCS080N04ZB, BRCS080N04ZC, BRCS080N10SHBD, BRCS080N10SHDP, BRCS080N10SHRA, BRCS080N10SHZC, BRCS100N03BD