BRCS10N60AA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS10N60AA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для BRCS10N60AA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS10N60AA даташит

 ..1. Size:1014K  blue-rocket-elect
 brcs10n60aa.pdf pdf_icon

BRCS10N60AA

BRCS10N60AA Rev.A Sep.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

 7.1. Size:1021K  blue-rocket-elect
 brcs10n15dp.pdf pdf_icon

BRCS10N60AA

 8.1. Size:856K  blue-rocket-elect
 brcs100n06bd.pdf pdf_icon

BRCS10N60AA

BRCS100N06BD Rev.A May.-2019 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie

 8.2. Size:809K  blue-rocket-elect
 brcs100n03bd.pdf pdf_icon

BRCS10N60AA

BRCS100N03BD Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. / Applications DC/DC These devices ar

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS080N10SHDP, BRCS080N10SHRA, BRCS080N10SHZC, BRCS100N03BD, BRCS100N06BD, BRCS100N06DP, BRCS100N06RA, BRCS100N10SHZC, 75N75, BRCS120N02LZJ, BRCS120N03DP, BRCS120N03YA, BRCS120N03YB, BRCS120N03ZB, BRCS120N06HA, BRCS120N06SRA, BRCS120N06SYM