BRCS120N02LZJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS120N02LZJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2B-6L

Аналог (замена) для BRCS120N02LZJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS120N02LZJ даташит

 ..1. Size:621K  blue-rocket-elect
brcs120n02lzj.pdfpdf_icon

BRCS120N02LZJ

 4.1. Size:576K  blue-rocket-elect
brcs120n02zj.pdfpdf_icon

BRCS120N02LZJ

BRCS120N02ZJ Rev.A Aug.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = 20V ID = 8 A (VGS = 20V) HF Product. / Applications DC/DC

 5.1. Size:1299K  blue-rocket-elect
brcs120n03ya.pdfpdf_icon

BRCS120N02LZJ

BRCS120N03YA Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN3 3-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN3 3-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =24A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications Intended for use in g

 5.2. Size:693K  blue-rocket-elect
brcs120n03zj.pdfpdf_icon

BRCS120N02LZJ

Другие IGBT... BRCS080N10SHRA, BRCS080N10SHZC, BRCS100N03BD, BRCS100N06BD, BRCS100N06DP, BRCS100N06RA, BRCS100N10SHZC, BRCS10N60AA, AO3400A, BRCS120N03DP, BRCS120N03YA, BRCS120N03YB, BRCS120N03ZB, BRCS120N06HA, BRCS120N06SRA, BRCS120N06SYM, BRCS120N06YB