BRCS120N02LZJ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRCS120N02LZJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2B-6L
Аналог (замена) для BRCS120N02LZJ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRCS120N02LZJ даташит
brcs120n02zj.pdf
BRCS120N02ZJ Rev.A Aug.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = 20V ID = 8 A (VGS = 20V) HF Product. / Applications DC/DC
brcs120n03ya.pdf
BRCS120N03YA Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN3 3-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN3 3-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =24A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications Intended for use in g
Другие IGBT... BRCS080N10SHRA, BRCS080N10SHZC, BRCS100N03BD, BRCS100N06BD, BRCS100N06DP, BRCS100N06RA, BRCS100N10SHZC, BRCS10N60AA, AO3400A, BRCS120N03DP, BRCS120N03YA, BRCS120N03YB, BRCS120N03ZB, BRCS120N06HA, BRCS120N06SRA, BRCS120N06SYM, BRCS120N06YB
History: BRCS120N03YB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392











