BRCS120N03YA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS120N03YA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для BRCS120N03YA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS120N03YA даташит

 ..1. Size:1299K  blue-rocket-elect
 brcs120n03ya.pdf pdf_icon

BRCS120N03YA

BRCS120N03YA Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN3 3-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN3 3-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =24A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications Intended for use in g

 3.1. Size:1257K  blue-rocket-elect
 brcs120n03yb.pdf pdf_icon

BRCS120N03YA

 4.1. Size:693K  blue-rocket-elect
 brcs120n03zj.pdf pdf_icon

BRCS120N03YA

 4.2. Size:769K  blue-rocket-elect
 brcs120n03zb.pdf pdf_icon

BRCS120N03YA

BRCS120N03ZB Rev.C Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 3 3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 3 3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 20 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS100N03BD, BRCS100N06BD, BRCS100N06DP, BRCS100N06RA, BRCS100N10SHZC, BRCS10N60AA, BRCS120N02LZJ, BRCS120N03DP, STP65NF06, BRCS120N03YB, BRCS120N03ZB, BRCS120N06HA, BRCS120N06SRA, BRCS120N06SYM, BRCS120N06YB, BRCS120N10SZC, BRCS120P012MC