BRCS200P02MC. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRCS200P02MC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 29.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для BRCS200P02MC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRCS200P02MC даташит
brcs200p02ya.pdf
BRCS200P02YA Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN3 3-8L P MOS Double P-CHANNEL MOSFET in a PDFN3 3-8L Plastic Package. / Features V =-20V I =-22.8A DS D R DS(ON)@-4.5V 22m (Type.20m ) R DS(ON)@-2.5V 30m (Type.26m ) R DS(ON)@-1.8V 100m (Type.35m ) HF Product. / Appli
brcs200p012mf.pdf
BRCS200P012MF Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. / Features V (V) = -12V I = -8.0A DS D R DS(ON)@-10V 20m (Type.18m ) R DS(ON)@-4.5V 25m (Type.21m ) R DS(ON)@-2.5V 30m (Type.27m ) R DS(ON)@-1.8V 50m (Type.40m ) HF P
Другие MOSFET... BRCS200N03YN , BRCS200N04DSC , BRCS200N04YA , BRCS200N04ZB , BRCS200N10SZC , BRCS200P012MC , BRCS200P012MF , BRCS200P012ZJ , P55NF06 , BRCS200P02YA , BRCS200P02ZJ , BRCS200P03DP , BRCS200P03DSC , BRCS200P03YB , BRCS200P03ZB , BRCS200P03ZC , BRCS200P03ZJ .
History: STF8NM50N
History: STF8NM50N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941












