BRCS200P03DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BRCS200P03DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BRCS200P03DP
BRCS200P03DP Datasheet (PDF)
brcs200p03dp.pdf
BRCS200P03DP Rev.A Aug.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching,HF Product. / Applications DC/DC Power Management of Industrial DC/DC Converter.
brcs200p03dsc.pdf
BRCS200P03DSC Rev.A Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P Dual P-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package . / Features Dual P-CHANNEL VDS(V)=-30V ID=-7.1A RDS(ON)
brcs200p03zc.pdf
BRCS200P03ZC Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 P P-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;HF P
brcs200p03zb.pdf
BRCS200P03ZB Rev.A May.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN 33A-8L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID = -19 A (VGS = -20V) HF Product. / Applications Power
brcs200p03yb.pdf
BRCS200P03YB Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L P P-Channel MOSFET in a PDFN33A-8L Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resi
brcs200p03zj.pdf
BRCS200P03ZJ Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN22B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN22B-6L Plastic Package. / Features V (V)=-30V I =-7.8A DS DR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918