BRCS5N50YU - описание и поиск аналогов

 

BRCS5N50YU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS5N50YU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8-4L

Аналог (замена) для BRCS5N50YU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS5N50YU даташит

 ..1. Size:1923K  blue-rocket-elect
brcs5n50yu.pdfpdf_icon

BRCS5N50YU

 8.1. Size:1344K  blue-rocket-elect
brcs5n10mc.pdfpdf_icon

BRCS5N50YU

 9.1. Size:932K  blue-rocket-elect
brcs50n06bd.pdfpdf_icon

BRCS5N50YU

BRCS50N06BD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low R ,low gate charge, low C , fast switching, Trench Technologies, HF Product. DS(on) rss / Applications

 9.2. Size:906K  blue-rocket-elect
brcs50n06ra.pdfpdf_icon

BRCS5N50YU

BRCS50N06RA Rev.A Sep.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-220 N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. Halogen-free Product. / Applications

Другие MOSFET... BRCS4N65AA , BRCS4N80DP , BRCS500P10DP , BRCS500P10ZC , BRCS50N06BD , BRCS50N06DP , BRCS50N06IP , BRCS50N06RA , AO4468 , BRCS5P06MC , BRCS5P06MF , BRCS60N02DP , BRCS630FA , BRCS700P10DP , BRCS800P06SC , BRCS900N10SYM , BRCS900P10DP .

History: PTP80N60 | FQD7N10L | SIR172ADP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.