Справочник MOSFET. BRCS800P06SC

 

BRCS800P06SC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRCS800P06SC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для BRCS800P06SC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS800P06SC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1940K  blue-rocket-elect
 brcs800p06sc.pdf pdf_icon

BRCS800P06SC

BRCS800P06SC Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P P-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features V =-60V DSI =-6A(V =20V) D GSRDS(ON)@-10V80mR(Typ.61mR) RDS(ON)@-4.5V120mR(Typ.77mR) HF Product. / Applications PWM De

 8.1. Size:647K  blue-rocket-elect
 brcs80n03dp.pdf pdf_icon

BRCS800P06SC

BRCS80N03DP Rev.D Mar.-2020 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on),Rugged and reliable,surface mount package. Halogen-free Product. / Applicati

Другие MOSFET... BRCS50N06IP , BRCS50N06RA , BRCS5N50YU , BRCS5P06MC , BRCS5P06MF , BRCS60N02DP , BRCS630FA , BRCS700P10DP , 20N60 , BRCS900N10SYM , BRCS900P10DP , BRCS90P03DP , BRCS9N20YU , BRD4N65S , BRD5N20 , BRD5N65 , BRD640 .

History: IXTA08N100D2HV

 

 
Back to Top

 


 
.