BRCS9N20YU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRCS9N20YU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: DFN8X8-4L
Аналог (замена) для BRCS9N20YU
BRCS9N20YU Datasheet (PDF)
brcs9n20yu.pdf

BRCS9N20YU Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions DFN88-4L N Dual N-CHANNEL MOSFET in a DFN88-4L Plastic Package. / Features V (V)=200V I =9A DS DRDS(ON)@10V
brcs90p03dp.pdf

BRCS90P03DP Rev.A .May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Lowgatecharge,lowcrss,fastswitching. Halogen-free Product. / Applications DC/DC These d
brcs9435sc.pdf

BRCS9435SC Rev. I Jan.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P Power Trench MOS P-Channel Power Trench MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features RDS ON Low gate charge, Fast switching speed, High
brcs9926sc.pdf

BRCS9926SC Rev.I Mar.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N PowerTrenchMOS Dual N-Channel Power Trench MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features 10V MOSFETGSS Optimized for use in battery protecti
Другие MOSFET... BRCS5P06MF , BRCS60N02DP , BRCS630FA , BRCS700P10DP , BRCS800P06SC , BRCS900N10SYM , BRCS900P10DP , BRCS90P03DP , IRF640 , BRD4N65S , BRD5N20 , BRD5N65 , BRD640 , BRD65R1K0C , BRD65R280C , BRD65R380C , BRD65R600C .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD | SLD80N02TB | SLD65R600E7C | SLD65R380E7C | SLD65R280E7C | SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7
Popular searches
ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg