Справочник MOSFET. BRD7N60

 

BRD7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BRD7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1016K  blue-rocket-elect
 brd7n60.pdf pdf_icon

BRD7N60

BRD7N60 Rev.E Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features 600V MOSFET,,,600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications

 8.1. Size:657K  blue-rocket-elect
 brd7n65.pdf pdf_icon

BRD7N60

BRD7N65 Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching. Halogen-free Product,HF Product. / Applications DC/DC Thes

 8.2. Size:1095K  blue-rocket-elect
 brd7n65s.pdf pdf_icon

BRD7N60

BRD7N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. Have good Electromagnetic Interference porfo

Другие MOSFET... BRD640 , BRD65R1K0C , BRD65R280C , BRD65R380C , BRD65R600C , BRD65R650C , BRD7002K1 , BRD7002K2 , IRFB4110 , BRD7N65 , BRD7N65S , BRF4N65S , BRF4N70 , BRF5N50 , BRF60R580C , BRF65R280C , BRF65R380C .

History: TMU4N65Z | LNC10R040W3 | AM2390N | APM3009NUC | 2SK2666 | SFF340-28 | AUIRFU4104

 

 
Back to Top

 


 
.