BRD7N60 - описание и поиск аналогов

 

BRD7N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD7N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRD7N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD7N60 даташит

 ..1. Size:1016K  blue-rocket-elect
 brd7n60.pdf pdf_icon

BRD7N60

BRD7N60 Rev.E Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features 600V MOSFET, , , 600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications

 8.1. Size:657K  blue-rocket-elect
 brd7n65.pdf pdf_icon

BRD7N60

BRD7N65 Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , , Low gate charge, low crss, fast switching. Halogen-free Product,HF Product. / Applications DC/DC Thes

 8.2. Size:1095K  blue-rocket-elect
 brd7n65s.pdf pdf_icon

BRD7N60

BRD7N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , , Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. Have good Electromagnetic Interference porfo

Другие MOSFET... BRD640 , BRD65R1K0C , BRD65R280C , BRD65R380C , BRD65R600C , BRD65R650C , BRD7002K1 , BRD7002K2 , AON6414A , BRD7N65 , BRD7N65S , BRF4N65S , BRF4N70 , BRF5N50 , BRF60R580C , BRF65R280C , BRF65R380C .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.