BRF5N50 - описание и поиск аналогов

 

BRF5N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRF5N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для BRF5N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF5N50 даташит

 ..1. Size:2335K  blue-rocket-elect
brf5n50.pdfpdf_icon

BRF5N50

BRF5N50 Rev.A Aug.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC , These devices are well suited for high efficiency

 9.1. Size:733K  blue-rocket-elect
brf5n60.pdfpdf_icon

BRF5N50

BRF5N60(BRCS5N60F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

 9.2. Size:796K  blue-rocket-elect
brf5n65.pdfpdf_icon

BRF5N50

BRF5N65 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien

Другие MOSFET... BRD65R650C , BRD7002K1 , BRD7002K2 , BRD7N60 , BRD7N65 , BRD7N65S , BRF4N65S , BRF4N70 , 7N65 , BRF60R580C , BRF65R280C , BRF65R380C , BRF65R650C , BRFL10N65S , BRFL12N65S , BRFL13N50 , BRFL15N50 .

History: SWD4N65DD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.