BRF5N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRF5N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для BRF5N50
BRF5N50 Datasheet (PDF)
brf5n50.pdf
BRF5N50 Rev.A Aug.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC , These devices are well suited for high efficiency
brf5n60.pdf
BRF5N60(BRCS5N60F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi
brf5n65.pdf
BRF5N65 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien
Другие MOSFET... BRD65R650C , BRD7002K1 , BRD7002K2 , BRD7N60 , BRD7N65 , BRD7N65S , BRF4N65S , BRF4N70 , 7N65 , BRF60R580C , BRF65R280C , BRF65R380C , BRF65R650C , BRFL10N65S , BRFL12N65S , BRFL13N50 , BRFL15N50 .
History: EMB03N03HR
History: EMB03N03HR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904




