BRF65R650C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BRF65R650C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для BRF65R650C
BRF65R650C Datasheet (PDF)
brf65r650c.pdf
BRF65R650C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant. / Applications
brf65r380c.pdf
BRF65R380C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant. / Applications
brf65r280c.pdf
BRF65R280C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100%avalanche tested,RoHS compliant. / Applications
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918