Справочник MOSFET. BRF65R650C

 

BRF65R650C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF65R650C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для BRF65R650C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF65R650C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1193K  blue-rocket-elect
 brf65r650c.pdf pdf_icon

BRF65R650C

BRF65R650C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant. / Applications

 8.1. Size:1197K  blue-rocket-elect
 brf65r380c.pdf pdf_icon

BRF65R650C

BRF65R380C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant. / Applications

 8.2. Size:1143K  blue-rocket-elect
 brf65r280c.pdf pdf_icon

BRF65R650C

BRF65R280C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100%avalanche tested,RoHS compliant. / Applications

Другие MOSFET... BRD7N65 , BRD7N65S , BRF4N65S , BRF4N70 , BRF5N50 , BRF60R580C , BRF65R280C , BRF65R380C , 2N7000 , BRFL10N65S , BRFL12N65S , BRFL13N50 , BRFL15N50 , BRFL20N50 , BRFL20N65 , BRFL24N50 , BRFL4N65S .

History: SM7A23NSF | HYG023N03LR1V | BRA4N60 | FQA28N50F109 | STD30NF06T4 | CEB07N65 | 2SK4104

 

 
Back to Top

 


 
.