Справочник MOSFET. BRF65R650C

 

BRF65R650C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF65R650C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF65R650C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1193K  blue-rocket-elect
 brf65r650c.pdf pdf_icon

BRF65R650C

BRF65R650C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant. / Applications

 8.1. Size:1197K  blue-rocket-elect
 brf65r380c.pdf pdf_icon

BRF65R650C

BRF65R380C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100% avalanche tested,RoHS compliant. / Applications

 8.2. Size:1143K  blue-rocket-elect
 brf65r280c.pdf pdf_icon

BRF65R650C

BRF65R280C Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on)Qg100% ROHS Very low RDS(on)Qg,100%avalanche tested,RoHS compliant. / Applications

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.