BRFL10N65S - описание и поиск аналогов

 

BRFL10N65S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRFL10N65S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220FL

Аналог (замена) для BRFL10N65S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRFL10N65S даташит

 ..1. Size:1434K  blue-rocket-elect
brfl10n65s.pdfpdf_icon

BRFL10N65S

BRFL10N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge, low crss, fast switching,Have good Electromagnetic Interference porformance. / Applications

 5.1. Size:1019K  blue-rocket-elect
brfl10n65.pdfpdf_icon

BRFL10N65S

BRFL10N65 Rev.F Dec.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effi

 6.1. Size:1164K  blue-rocket-elect
brfl10n60.pdfpdf_icon

BRFL10N65S

BRFL10N60 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effi

 9.1. Size:889K  blue-rocket-elect
brfl12n60.pdfpdf_icon

BRFL10N65S

Другие MOSFET... BRD7N65S , BRF4N65S , BRF4N70 , BRF5N50 , BRF60R580C , BRF65R280C , BRF65R380C , BRF65R650C , 2SK3878 , BRFL12N65S , BRFL13N50 , BRFL15N50 , BRFL20N50 , BRFL20N65 , BRFL24N50 , BRFL4N65S , BRFL60R190C .

History: QN3109M6N | SI2309CDS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.