BRFL20N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRFL20N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO-220FL
Аналог (замена) для BRFL20N65
BRFL20N65 Datasheet (PDF)
brfl20n65.pdf
BRFL20N65 Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,, Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency switch mode pow
brfl20n50.pdf
BRFL20N50 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate chargeLow Crss Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suit
brfl24n50.pdf
BRFL24N50 Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-Channel MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features V =500V I =24A DS DRDS(ON)@10V0.25(Typ. 0.17) RDS(ON)@6V0.3(Typ. 0.18m) / Applications
Другие MOSFET... BRF65R280C , BRF65R380C , BRF65R650C , BRFL10N65S , BRFL12N65S , BRFL13N50 , BRFL15N50 , BRFL20N50 , IRLB4132 , BRFL24N50 , BRFL4N65S , BRFL60R190C , BRFL65R160C , BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 .
History: H2N7000
History: H2N7000
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870




