BRI5N65 - аналоги и даташиты транзистора

 

BRI5N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BRI5N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для BRI5N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI5N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:730K  blue-rocket-elect
 bri5n65.pdf pdf_icon

BRI5N65

BRI5N65 Rev.A Sep.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency

 8.1. Size:693K  blue-rocket-elect
 bri5n60.pdf pdf_icon

BRI5N65

BRI5N60(BRCS5N60I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high ef

 9.1. Size:745K  blue-rocket-elect
 bri5n50.pdf pdf_icon

BRI5N65

BRI5N50 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficiency sw

Другие MOSFET... BRFL65R380C , BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , BRGN250N65YK , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , IRFB3607 , BRI65R380C , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P .

History: AP9962AGM | SST213 | IRFL110TR | SI3401A | S-LBSS84DW1T1G | AP01N60J | IRF7341I

 

 
Back to Top

 


 
.