BRI65R380C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRI65R380C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для BRI65R380C
BRI65R380C Datasheet (PDF)
bri65r380c.pdf

BRI65R380C Rev.F Apr.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N 650V N-CHANNEL 650V Super-Junction Power MOSFET in a TO-251Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching,HF Product. / Applications
Другие MOSFET... BRFL70R360C , BRFL7N65S , BRFL8N65 , BRGN250N65YK , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , IRLZ44N , BRI740 , BRI7N60 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R .
History: HCU65R1K0
History: HCU65R1K0



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48