Справочник MOSFET. BRI7N60

 

BRI7N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI7N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для BRI7N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI7N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1020K  blue-rocket-elect
 bri7n60.pdf pdf_icon

BRI7N60

BRI7N60 Rev.B Feb.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features 600V MOSFET,,,600V Enhanced Power MOSFET, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications

 8.1. Size:657K  blue-rocket-elect
 bri7n65.pdf pdf_icon

BRI7N60

BRI7N65 Rev.E Mar.-2023 DATA SHEET - / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching, HF Product. / Applications DC/DC These devices are well su

Другие MOSFET... BRFL8N65 , BRGN250N65YK , BRI2N70 , BRI4N70 , BRI50N06 , BRI5N65 , BRI65R380C , BRI740 , IRLB4132 , BRI7N65 , BRU24N50 , BRU26N50 , BSS123K2 , RU12N65P , RU13N65R , RU15P12C , RU17P12C .

History: NCEP85T12 | VBZM8N50 | R6011ENX | SQM50N04-4M1 | SQM50N04-5M0 | NCEP025N12LL | HIRF630

 

 
Back to Top

 


 
.