RU3040M3 - описание и поиск аналогов

 

RU3040M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU3040M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DFN3030

Аналог (замена) для RU3040M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU3040M3 даташит

 ..1. Size:778K  ruichips
ru3040m3.pdfpdf_icon

RU3040M3

RU3040M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V G S S Uses Ruichips advanced TrenchTM technology S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) D Reliable and Rugged R li bl d R d D D 100% avalanche tested D D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DF

 7.1. Size:306K  ruichips
ru3040m.pdfpdf_icon

RU3040M3

RU3040M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =17.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO

 7.2. Size:338K  ruichips
ru3040m2.pdfpdf_icon

RU3040M3

RU3040M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =5.8m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =8.2m (Typ.)@VGS=4.5V D RDS (ON) =16.8m (Typ.) @VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate Charge G S S S 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 PDFN3333 D

 9.1. Size:247K  ruichips
ru304b.pdfpdf_icon

RU3040M3

RU304B N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/4A, RDS (ON) =44m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =53m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged SOT-23 Lead Free and Green Available Applications Load/System Switch N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Comm

Другие MOSFET... RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P , RU30110M , RU30120M3 , RU30180M-C , RU3030M3 , STF13NM60N , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C .

History: JMSH0606PG | APT5014BLLG | AP95T07AGP | OSG65R380FEF | SWB090R08ET | 2SK3111-ZJ | SFF054

 

 

 

 

↑ Back to Top
.