RU3040M3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RU3040M3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: DFN3030
Аналог (замена) для RU3040M3
RU3040M3 Datasheet (PDF)
ru3040m3.pdf
RU3040M3N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/40A,RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =6.5m(Typ.)@VGS=4.5VGSS Uses Ruichips advanced TrenchTM technologyS Excellent QgxRDS(on) product(FOM)D Reliable and RuggedR li bl d R dDD 100% avalanche testedDD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1DF
ru3040m.pdf
RU3040M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =12m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =17.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO
ru3040m2.pdf
RU3040M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/40A,RDS (ON) =5.8m(Typ.)@VGS=10VDDDRDS (ON) =8.2m(Typ.)@VGS=4.5VDRDS (ON) =16.8m(Typ.) @VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate Charge GSSS 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)PIN1PDFN3333D
ru304b.pdf
RU304BN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/4A,RDS (ON) =44m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =53m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedSOT-23 Lead Free and Green AvailableApplications Load/System SwitchN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitComm
Другие MOSFET... RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P , RU30110M , RU30120M3 , RU30180M-C , RU3030M3 , STF13NM60N , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C .
History: JMSH0403AG | JMSH0606PGDQ | AP2321GN | JMSH0606PC | JMSH0403PGHWQ
History: JMSH0403AG | JMSH0606PGDQ | AP2321GN | JMSH0606PC | JMSH0403PGHWQ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet





