RU3040M3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RU3040M3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: DFN3030
Аналог (замена) для RU3040M3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RU3040M3 даташит
ru3040m3.pdf
RU3040M3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V G S S Uses Ruichips advanced TrenchTM technology S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) D Reliable and Rugged R li bl d R d D D 100% avalanche tested D D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DF
ru3040m.pdf
RU3040M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =17.5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN5060 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC/DC Conversion Switching Application N-Channel MO
ru3040m2.pdf
RU3040M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/40A, RDS (ON) =5.8m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =8.2m (Typ.)@VGS=4.5V D RDS (ON) =16.8m (Typ.) @VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed Low gate Charge G S S S 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 PDFN3333 D
ru304b.pdf
RU304B N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/4A, RDS (ON) =44m (Typ.) @ VGS=4.5V RDS (ON) =53m (Typ.) @ VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged SOT-23 Lead Free and Green Available Applications Load/System Switch N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Comm
Другие MOSFET... RU20N65P , RU20N65R , RU20P3C , RU2N65P , RU30110M , RU30120M3 , RU30180M-C , RU3030M3 , STF13NM60N , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C .
History: JMSH0606PG | APT5014BLLG | AP95T07AGP | OSG65R380FEF | SWB090R08ET | 2SK3111-ZJ | SFF054
History: JMSH0606PG | APT5014BLLG | AP95T07AGP | OSG65R380FEF | SWB090R08ET | 2SK3111-ZJ | SFF054
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet




