Справочник MOSFET. RU30J30M3

 

RU30J30M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU30J30M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN3030
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30J30M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  ruichips
 ru30j30m3.pdf pdf_icon

RU30J30M3

RU30J30M3 Dual Symmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A, RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5VS2G2 Using Ruichips Advanced TrenchTM TechnologyS2S2 Low gate ChargeF t S it hi d F ll A l h R t d Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% Avalanche Tested Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)D1G1PIN

 6.1. Size:412K  ruichips
 ru30j30m.pdf pdf_icon

RU30J30M3

RU30J30MDual N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/30A,S2S2 RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10VG2S2 RDS (ON) =9.5m(Typ.)@VGS=4.5V Fast Switching Speed Low gate Charge 100% avalanche testedD1D1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G1D1PIN1PDFN5*6Applications Switching Application Systems DC/DC Converters

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SIHFZ48R | IRFR3709ZT | 2SK1429 | AP9487GM | 30N06G-TF2-T | GSM2302S | SSF2N60D2

 

 
Back to Top

 


 
.